无锡尚积半导体申请双级压力调控等离子体刻蚀清洗设备及晶圆处理方法专利实现双腔压力的毫秒级精准控制

　　金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司申请一项名为“双级压力调控等离子体刻蚀清洗设备及晶圆处理方法”的专利，公开号CN120527276A，申请日期为2025年07月。

　　专利摘要显示，本申请公开了一种双级压力调控等离子体刻蚀清洗设备及晶圆处理方法，设备包括主腔室、远程等离子体源、副腔室、真空泵、第一阀板、第二阀板和限流板，限流板上开设有限流孔；通过限流孔奠定压力差基础，再配合第二阀板与调压阀动态补偿流量波动，能够实现双腔压力的毫秒级精准控制，能够确保两种工作模式均可高效运行；晶圆处理方法针对多晶硅栅或者多晶硅基结构，在去胶阶段，自由基与刻蚀残留物发生反应，反应产物均为气态，气态产物可由真空泵抽出；通过这种“刻蚀去胶一体化”的协同工艺，充分利用多晶硅材料特性与双级压力调控设备优势，在保障工艺质量的同时，实现了效率、成本与环保的平衡。

　　天眼查资料显示，无锡尚积半导体科技股份有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2147.0967万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目21次，财产线条，此外企业还拥有行政许可15个。