上海积塔半导体申请沟槽栅碳化硅晶体管结构及其制备方法专利节省工艺制造成本

　　金融界2025年1月20日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“沟槽栅碳化硅晶体管结构及其制备方法”的专利，公开号 CN 119317137 A，申请日期为2024年10月。

　　本发明通过在沟槽栅结构的多晶硅层表面以及驱动栅结构的多晶硅层表面生长形成膜层较薄的牺牲氧化层，可以阻挡形成欧姆接触结构时、溅射金属与多晶硅发生反应，从而可以满足源接触孔和栅接触孔的光刻、刻蚀工艺可以使用同一光罩的条件；同时牺牲氧化层膜层较薄，也方便在去除未发生反应的第一金属层时、将牺牲氧化层一并去除而对其它膜层影响较小。通过采用同一光罩进行光刻、刻蚀同时形成源接触孔和栅接触孔，减少了光罩层数，一方面可以节省光刻、刻蚀工艺时间，有利于减少工艺制造成本，另一方面有利于减少外来缺陷引发的参数异常，使工艺稳定性提高，从而提高生产效率、增加产能。

　　天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币，实缴资本1607601.0503万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1802次，知识产权方面有商标信息9条，专利信息893条，此外企业还拥有行政许可175个。